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【每日收评】资金围猎创业板小盘股,天山生物继续新高,第三代半导体持续爆发

发布时间:2020-12-28 作者:admin 来源:网络整理 浏览:


导读:9月4日,三大指数大幅低开后震荡回升,主板表现较弱,成交量萎缩,两市个股涨跌互半,较开盘有所修复,短线赚钱...

      9月4日,三大指数大幅低开后震荡回升,主板表现较弱,成交量萎缩,两市个股涨跌互半,较开盘有所修复,短线赚钱效应依旧聚焦在创业板,近25股涨超10%。板块上,白酒、食品饮料及医疗等板块趋势股遭资金抛弃,热点主要集中在碳化硅、氮化镓、金刚石等第三代半导体和创业板低价股。

 

      板块方面

 

      据媒体报道,中国拟全面支持半导体产业 “十四五”规划草案中。在此消息刺激下,氮化镓、光刻胶等半导体材料板块领涨两市,并带动整个半导体产业链联动上涨。板块中,早盘乾照光电直线拉升封板,露笑科技一字涨停。午后聚灿光电、易事特、豫金刚石先后拉升封板。

 

      相对于传统的硅材料,第三代半导体以氮化镓、碳化硅、硒化锌等宽带半导体原料为主,更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件。

 

      华创证券指出,以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视,国际上已形成完整的覆盖材料、器件、模块和应用等环节的产业链,全球新一轮的产业升级已经开始。

 

      类比之前新能源汽车的自上而下的炒作,上游钴锂材料先大涨,然后传递到中下游。在第三代半导体中氮化镓、碳化硅、硒化锌等宽带半导体原料的地位,就如之前锂电池上游的钴锂。

 

      氮化镓、碳化硅、硒化锌等宽带半导体原料板块或有望成为主线板块。逻辑有3点:1)政策加速,类比之前的新能源汽车炒作;2)创业板指午后逐渐回升,板块聚灿光电、易事特、豫金刚石先后拉升封板,板块在午后有所加强,还算与指数共振,可以高看一线;3)半导体其他分支板块7月见顶后,目前位置超跌,或有继续补涨的潜力。

 

 

【每日收评】资金围猎创业板小盘股,天山生物继续新高,第三代半导体持续爆发

 

      热点个股

 

      第三代半导体板块龙头乾照光电昨日炸板回落,今日早盘竞价直接反包且拉升封板。由于产生了板块效应,且天山生物已经打开了20%的6板高度,龙头补涨空间就相应加大了,那么预计乾照光电在下周一的溢价会很高。

 

      天山生物昨日尾盘超预期继续转强上板,昨日龙虎榜上知名游资全是卖出,涨停更多是靠市场合力。这种级别的妖股很少直接A字杀,今天温和断板,预计接下来高位震荡好几天后才会选择方向。

 

 

【每日收评】资金围猎创业板小盘股,天山生物继续新高,第三代半导体持续爆发

 

      后市分析

 

      指数方面,昨天讲过,如果指数这里直接调整,沪指可能回踩3345点附近再反弹,创业板指可能回踩2685附近再反弹。早盘受隔夜美股大跌影响,沪指低开在3336点附近,创业板指低开在2690点附近,指数调整空间基本一步到位。早盘指数表现较弱,午后指数向上回升,创业板指拉升力度强于沪指,符合预期。

 

      情绪方面,今天整体情绪处于昨日冰点后的反弹阶段,早盘的半导体板块带动情绪一般,尾盘天山生物快速拉升无带动情绪作用,主要还是周五效应的缘故。周五交投活跃度大多时候会降低,资金担心周末是否有新的利空。由于短期指数不轻易看空,以及天山生物打造出的强度赚钱效应,每天低位题材可以尝试博弈,如今天的第三代半导体板块。这里随时展开新周期,龙头或有不错的补涨空间。

 

【每日收评】资金围猎创业板小盘股,天山生物继续新高,第三代半导体持续爆发

 

 

      市场要闻聚焦

 

      1、发改委、民航局发文促进航空货运设施发展 5年内建成湖北鄂州专业性货运枢纽机场

 

      9月4日讯,发改委、民航局发布促进航空货运设施发展的意见,近期2025年,建成湖北鄂州专业性货运枢纽机场,优化完善北京、上海、广州、深圳等综合性枢纽机场货运设施,充分挖掘既有综合性机场的货运设施能力,结合空港型国家物流枢纽建设,研究提出由综合性枢纽机场和专业性货运枢纽机场共同组成的航空货运枢纽规划布局。展望2035年,在全国范围内建成1-2个专业性货运枢纽机场,并结合《全国民用运输机场布局规划》修订,进一步完善国际航空货运枢纽布局。鼓励航空货运企业与快递物流企业打破所有制限制,加快培育具有国际竞争力的大型快递物流企业。

 

      2、中国拟全面支持半导体产业 “十四五”规划草案中增加半导体产业研究、教育和融资措施

 

      9月4日讯,彭博社3日援引知情人士的话称,中国正在规划制定一套全面的新政策,以发展本国的半导体产业,应对美国政府的限制,而且赋予这项任务“如同当年制造原子弹一样”的高度优先权。知情人士称,北京正准备在到2025年的5年之内,对“第三代半导体”提供广泛支持。他们说,在中国“十四五”规划草案中增加了一系列措施,以加强该行业的研究、教育和融资。相对于传统的硅材料,第三代半导体以氮化镓、碳化硅、硒化锌等宽带半导体原料为主,更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件。

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