【国内最大碳化硅材料供应基地已实现4英寸晶片量产 合格率可达65%】《科创板日报》8日讯，目前，中国电科山西碳化硅材料产业基地已经实现4英寸晶片的大批量产，6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证，预计年底达到产业化应用与国际水平相当。据介绍，国际上碳化硅晶片的合格率最高是70%-80%，该基地合格率可以达到65%。另外，三年内整个项目计划达到每年18万片的产能。

      概念解读

      国家战略新兴产业政策中多次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体器件，随着国内多家企业开始重视该领域，积极布局相关项目，我国的第三代半导体材料及器件有望实现较快发展。

      宽禁带半导体材料又称为第三代半导体材料，是指禁带宽度在 2.3eV（电子伏特）及以上的半导体材料（而硅的禁带宽度为 1.12eV），其中较为典型的和成熟的包括碳化硅（SiC）、氮化 镓（GaN）等，其余包括氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝 （AlN）等的研究尚处于起步阶段。

      概念股

       楚江新材产品涵盖碳基、陶瓷基复合材料，全资子公司顶立科技具备第三代半导体材料碳化硅单晶从装备、材料到制品的一整套技术储备和产业化能力。

      三安光电在互动平台表示，公司碳化硅基集成电路公司产品可用于电力电子产品。

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