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厚积薄发,国产PLC光分路器芯片占全球市场50%份额

发布时间:2021-02-11 作者:admin 来源:网络整理 浏览:


导读:把“命门”把握在本人手中我国光电子芯片,已在豫北小城鹤壁取得冲破。此中的PLC光分路器芯片早在2012年就实现国...

我国光电子芯片,已在豫北小城鹤壁取得冲破。此中的PLC光分路器芯片早在2012年就实现国产化,迫使国外芯片在中国市场的价格从每晶圆最高时2400多美圆降到100多美圆。目前已占全球市场50%以上份额。

他们接纳等离子体加强化学气相堆积和火焰水解法相联结的二氧化硅厚膜生长原理,改进厚膜生长办法,通过对多层构造的二氧化硅资料停止多组分、抗互溶的掺杂,联结梯度高温办理及干法刻蚀工艺制程,取得了差异折射率差的低损耗、低应力、高品质、高折射率差SiOx光波导资料,且资料生长效率显著提升,调停了硅基SiOx集成光波导资料根底单薄的难题,为AWG芯片的财富化打下了坚实根底。

更了不起的是,他们研发的阵列波导光栅(AWG)芯片,在骨干网、高速数据中心及5G基站前传等领域获严峻冲破,此中,骨干网AWG进入相关领域知名国际办法商供应链,高速数据中心及5G应用技术有望在国际合作中领跑。近日,他们已在5G前传循环型波分复用、解复用芯片核心技术方面,初步尝试验证工作。

目前,项目团队领有AWG芯片设想及工艺核心创造专利十多项,并取得了2017年度国家科技提高二等奖,提升了我国下一代(5G)通信主干承载光网络和光互连成立的核心合作力。

攻陷光电子芯片三大壁垒

2013年,国家863方案“光电子集成芯片及其资料关键工艺技术”项目,由仕佳光子牵头承当,配资,吴远大担当课题负责人。

在光分路器芯片胜利实现财富化的同时,他们又把眼光投向了阵列波导光栅芯片(AWG)开发。

今年45岁的吴远大,是中国科学院半导体钻研所钻研员,主要致力于高性能无源光电子资料与器件的应用根底钻研,同步成长PLC光分路器芯片及阵列波导光栅芯片的财富化技术开发工作。2011年,作为我国光电子事业主要开拓者王启明院士团队的一员,他与所里的6个年轻人一起,来到鹤壁担当河南仕佳光子科技股份有限公司常务副总裁,成长院企竞争,开启我国高端光电子芯片的财富化之路。

如今,仕佳光子又引进中科院半导体所王圩院士团队,初步了高速DFB激光器芯片财富化的新征程。

二是芯片工艺程度达不到芯片财富化需求,出格是在整张晶圆的平均性、不变性方面,如二氧化硅厚膜的高深宽比和低损耗刻蚀工艺。

“中国芯片尽管已经在个别领域赶上了国外先进程度,51配资网,以至跨越了国外技术。” 但是,吴远大说,“整体而言,要片面追赶上还必要20年。所以,必需瞄准主要芯片,片面实现国产化!”而这正是他们下一步要攻陷的目的。

“我们带着这些钻研成就来到鹤壁,兴许是厚积薄发,2011年建设专用研发消费线,2012年就完成财富化工艺技术开发,2015年PLC光分路芯片全球市场份额到达50%。那一年,我们出货芯片2000多万颗;今年前4个月,每月产量都在200万颗以上。国际上芯片财富化十来年威力走完的路,我们三四年就实现了。”吴远大说。

吴远大说,在国家863方案、973方案项目赞助下,中科院半导体所对这些芯片已经成长了十多年的根底钻研,但由于三方面起因,此前不停没有财富化。

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两个院士团队的13名专家常年驻扎在鹤壁。鹤壁则以仕佳光子为龙头,引进了上海标迪、深圳腾天、威讯光电等十多家高庸俗配套企业,创立了6大省级以上技术研发创新平台。一个有“芯”的“中原硅谷”正在鹤壁兴起!

5月17日,科技日报记者前往鹤壁采访。在仕佳光子展厅里,吴远大介绍,在目前世界上100多类高端光电子芯片中,国内有两大类全系列化芯片技术根本实现国产化。一类是主要应用于光纤到户接入网中的PLC光分路器芯片,另一类是主要应用于骨干网、城域网、高速数据中心和5G领域的阵列波导光栅芯片。“这两类芯片,股票配资,都是我们公司研发的。”吴远大说。

两大研发方案,攻陷两座光电芯片山头

三是在财富和市场导向上,过去侧重于买,拿市场换技术。

斥地高速DFB激光器芯片财富化新征程

进一步,在国家重点研发方案项目“高性能无源光电子资料与器件钻研”赞助下,又攻陷了多项芯片关键工艺技术,在六英寸硅基/石英基SiOx晶圆工艺的平均性、反复性和不变性方面取得了专利或专有技术,造就了十多位专项工艺技能人才,实现了芯片工艺才华与财富化技术的交融融通,研制胜利的4通道、8通道及16通道AWG芯片,打破了国外对我国高性能AWG芯片财富化技术的恒久把持,实现了在国际市场上与国外企业同台合作。

一是高质量的高折射率差硅基SiOx集成光波导资料根底单薄。微电子技术中二氧化硅薄膜资料的厚度,一般仅为几百纳米;而平面集成光波导芯片中,则要求二氧化硅膜的厚度高达几个微米,以至几十个微米,要求无龟裂、无缺陷,且更侧重二氧化硅资料的光传输性质。国外生长硅基SiOx集成光波导资料的方式主要有两种:以欧美为代表的化学气相堆积法(PECVD),以日本、韩国为代表的火焰水解法(FHD)。PECVD法精度较高,操控性好;FHD法生长速率快,财富化效率更高,二者各有优弊端。而国内缺乏相关应用根底钻研。

把“命门”把握在本人手中