两大半导体巨头同时瞄准NAND领域 存储器概念股一览

　　据媒体报导，存储器两大巨头三星、SK海力士近日瞄准NAND Fla 事业，展开规划投资。

　　据韩媒音讯，三星平泽园区P2，日前初步执行NAND产线投资。此外，三星西安NAND厂二期总约150亿美圆投资，第一阶段70亿美圆的25个项目竣工，第二阶段80亿美圆投资，大约2021年竣工。

　　三星正式启动平泽P2的NAND产线成立，5月已着手建设无尘室，方案2020年下半年投产。SK海力士近日同样积极规划NAND事业，而且颁布颁发将采纳超品格战略，即强化技术实力，最好的股票配资网，改不雅观目前市场优势，缩短落后差距。

　　此外，SK海力士日前订立2020年开展愿景，包含在NAND领域展开快捷追赶。SK海力士已进入堆叠128层NAND量产，目前正积极开发堆叠176层产品。

　　依据WSTS统计，存储器占集成电路市场的36.1%，高于逻辑、模拟和微办理器份额。DRAM领域出现寡头把持格局，三星、海力士、美光共占比高达95%。

　　此中NAND Fla 占存储器细分领域的44%，且行业集中度极高，目前产能主要集中在三星、SK海力士、美光等。业内人士暗示，三星、SK海力士两大巨头积极规划投资，望驱动财富链公司受益。

　　国产替代火烧眉毛

　　DRAM领域出现寡头把持格局，存储器国产化火烧眉毛。

　　6月20日，国家存储器基地项目二期动工成立。国家存储器基地项目于2016年12月30日动工，51配资，方案分两期成立3DNAND闪存芯片工厂，总投资240亿美圆。一期主要实现技术冲破，建成10万片/月产能，二期结构产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。

　　国信证券(002736)欧阳仕华指出，存储器财富从趋势上看，DRAM和NAND均处于技术快捷冲破阶段，大约下半年DRAM1Z制程以及NAND新代产品将会量产。国产内存颗粒消费的内存模组产品已经初步上市销售，显示国内存储芯片财富正处于0到1的冲破阶段。

　　东莞证券魏红梅认为，最好的股票配资网，5G手机换机潮和IDC成立晋级对存储办法所造成的需求端具有较高确定性，有望动员NAND Fla 需求迎来新一轮增长。

　　相关上市公司：

　　太极实业(600667)：公司子公司海太半导体处置惩罚半导体产品的封装、封装测试、模组装配和模组测试等业务，为SK海力士提供效劳。

　　新莱应材(300260)：公司半导体FAB厂以及工程公司客户包含长江存储、SK海力士 无锡 等。

　　兴森科技(002436)：公司是国内IC载板龙头企业，2018年9月正式通过三星认证正式通过三星认证，成为大陆本土惟一的三星存储IC封装基板供应商。

　　深科技(000021)： 国有控股的最大DRAM内存芯片封装测试公司，DRAM封测年产能3亿颗，公司在存储器DRAM方面具备世界最新一代的产品封测技术。

　　紫光国微(002049)：存储芯片业务主要是DRAM存储芯片，2018年实现销售收入6.45亿元。

　　华天科技(002185)：具备LPDDR4存储4叠层封装等高端存储器封装技术，并与武汉新芯达成深度竞争。实现了Nor Fla 、3D NAND、DRAM产品的批量封装，客户包含长江存储。